當前位置:首頁 > 產品中心 > 超快調制與測量 > 半導體可飽和吸收鏡SESAM > SA可飽和吸收體 透射鎖模saturable absorber
簡要描述:可飽和吸收體 透射鎖模saturable absorber可以被應用于環(huán)形激光器實現(xiàn)模式鎖定。另外透射型可飽和吸收體可以被應用于固體二極管泵浦長波長(>1600nm)固體激光器,因為準備一個帶有布拉格光柵的可飽和吸收鏡價格會比較昂貴。
產品分類
Product classification產品簡介
品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 一個月以上 |
---|---|---|---|
應用領域 | 電子 |
詳細介紹
SA可飽和吸收體透射鎖模器件saturable absorber可以被應用于環(huán)形激光器實現(xiàn)模式鎖定。另外透射型可飽和吸收體可以被應用于固體二極管泵浦長波長(>1600nm)固體激光器,因為準備一個帶有布拉格光柵的可飽和吸收鏡價格會比較昂貴。
SA 1020: 適用波長 λ = 980 nm – 1040 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 調制深度 ΔT = 25 %; 弛豫時間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 1064: 適用波長 λ = 1030 nm – 1090 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 調制深度 ΔT = 25 %; 弛豫時間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 1550: 適用波長 λ = 1500 nm – 1600 nm; 吸收率 A0 = 25 %; 調制深度 ΔT = 15 %; 弛豫時間 τ ~ 2 ps; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 2000: 適用波長 λ = 1900 nm – 2100 nm; 吸收率 A0 = 1 %; 調制深度 ΔT = 0.6 %; 弛豫時間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
x = 5.0-0
•單芯片,無封裝
•芯片面積5.0 mm x 5.0 mm
•芯片厚度625 µm,雙面鍍AR
x = 1.0b-0
•一批4個,裸芯片,無封裝
•芯片面積1.0 mm x 1.0 mm
•芯片厚度150 µm,用于光纖激光對接
x = 1.3b-0
•一批4個,裸芯片,無封裝
•芯片面積1.3 mm x 1.3 mm
•芯片厚度150 µm,用于光纖激光對接
x = 5.0-12.7gc / 5.0-12.7ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,雙面鍍AR
•粘貼在直徑12.7mm,孔4mm的銅散熱器上
•中心安裝:x = 5.0-12.7gc
•邊緣安裝:x = 5.0 -12.7ge
x = 5.0-25.0gc / 5.0-25.0ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,雙面鍍AR
•粘貼在直徑25.0mm,孔4mm的銅散熱片上
•中心安裝:x = 5.0-25.0gc
•邊緣安裝:x = 5.0 -25.0ge
x = 5.0-25.4gc / 5.0-25.4ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,雙面鍍AR
•粘貼在直徑25.4mm,孔4mm的銅散熱器上
•中心安裝:x = 5.0-25.4gc
•邊緣安裝:x = 5.0 -25.4ge
>> 半導體可飽和吸收鏡 SESAM
>> 可飽和輸出耦合器 SOC
>> 共振可飽和吸收鏡 RSAM
>> 可飽和噪聲抑制器 SANOS
>> 透射型可飽和吸收體 SA
上海屹持光電技術有限公司
產品咨詢