BSO硅酸鉍晶體

簡(jiǎn)要描述：BSO硅酸鉍晶體：BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光"型光學(xué)器件，如光學(xué)調(diào)制器，開關(guān)等。

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更新時(shí)間：2024-12-26
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光折變晶體：BSO硅酸鉍晶體

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

光折變效應(yīng)是局部折射率通過光強(qiáng)度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時(shí)，可強(qiáng)烈觀察到。這是由于漂移或擴(kuò)散和空間電荷分離效應(yīng)，在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場(chǎng)通過電光效應(yīng)引起折射率變化。其中一些應(yīng)用是空間光調(diào)制器，4波混頻，相位共軛，光存儲(chǔ)器和計(jì)算。

Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導(dǎo)體，具有低暗電導(dǎo)率，允許建立大的光誘導(dǎo)空間電荷。光電導(dǎo)性和光電特性的強(qiáng)烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學(xué)器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光"型光學(xué)器件，如光學(xué)調(diào)制器，開關(guān)等。通過不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開發(fā)包括光學(xué)波導(dǎo)，集成光學(xué)器件的多種裝置?；赟illenites的波導(dǎo)光學(xué)結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻照射（通常到波導(dǎo)平面）。

BGO SBN

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

晶體	Bi ₁₂ SiO ₂₀（BSO）	Bi ₁₂ GeO ₂₀（BGO）	Fe：LiNbO ₃	SBN x = 0.60	SBN x = 0.75
晶體結(jié)構(gòu)	立方，點(diǎn)組：23	立方，點(diǎn)組：23	三角形，3m	4mm	4mm
晶格（胞）參數(shù)，?	10.10	10.15	-	a = 12.46，c = 3.946	a = 12.43024，c = 3.91341
透射范圍，μm	0.4-6	0.4-7	0.35 - 5.5	0.3 5 - 6.0	0.35 - 6.0
折射率在0.63μm	2.54	2.55	2.20（ne），2.29（no）	n _e = 2.33，n _o = 2.36 @0.51μm	n _e = 2.35，n _o = 2.37 @0.51μm
電光系數(shù)r41，pm / V	5	3.5	r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32	r ₁₃ = 47，r ₃₃ = 235	r ₁₃ = 67，r ₃₃ = 1340
光學(xué)活性，500納米處的deg / mm	42	41.5	-	-	-
在600nm處為 - deg / mm	25	24	-	-	-
密度，g / cm ³	9.15	9.2	4.64	5.4	5.4
莫氏硬度	5	5	5	5.5	5.5
熔點(diǎn)，C	890	920	1255（Tc = 1140）	1500±10°C	1500±10°C
介電常數(shù)	56	40	85（e11）30（e33）	880	3400
暗電阻，歐姆厘米	10 ¹⁴	10 ¹⁴	-	-	-
吸收系數(shù)@0.44μm	-	-	-	0.3cm ^-1	-
在25°C時(shí)的熱導(dǎo)率	-	-	-		0.006 W / cm * K
@ 1370至1470℃下	-	-	-	-	0.008 W / cm * K
熱光系數(shù)dn _e / dT	-	-	-	3×10 ^-4 K ^-1	-
居里溫度	-	-	-	75℃	56℃
半波電壓	-	-	-	240伏	48 V