光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

     光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強烈觀察到。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調(diào)制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。

     Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導體，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動態(tài)實時全息記錄設備，相位共軛波混合，光學相關器和光學激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光  - 光"型光學器件，如光學調(diào)制器，開關等。   通過不同技術制造氧化亞錫薄膜晶體結構允許開發(fā)包括光學波導，集成光學器件的多種裝置?；赟illenites的波導光學結構的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實現(xiàn)均勻照射（通常到波導平面）。

BGO                                       SBN

    Sillenite  Oxides的相對較大的電光和法拉第效應使其可用于光纖電/磁場傳感器。我們能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體用于科學研究，并大量用于工業(yè)目的。隨著2x2x2  - 25x25x25 mm3晶體，我們還提供帶有ITO（氧化銦錫）涂層的孔徑高達30x30 mm2，厚度為0.5 - 5 mm的晶體板。
     鍶鋇鈮酸鹽（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一種優(yōu)異的光學和光折變材料。名義上純，由Ce，Cr，Co，F(xiàn)e摻雜。不同組成的SBN晶體用于電光學，聲光學和光折變非線性光學器件。一種新的生長技術提供了優(yōu)異的光學質(zhì)量單晶，沒有生長條紋，夾雜物和其他不均勻性，以及高達80mm的確定橫截面和線性尺寸。SBN晶體元件滿足不同應用的要求。基于這種的晶體生長技術，可以使用大量高質(zhì)量的SBN光學元件和光折變單元，F(xiàn)e：LiNbO3（其他摻雜劑可用）。

    鐵摻雜鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3）是一種常用的具有高電光（EO）系數(shù)，高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料。與BaTiO3系列光折變晶體相比，它具有易于操作和存儲，成本低，尺寸利用率大等突出優(yōu)點，使其更適用于批量制造和實用設備。因此，F(xiàn)e：LiNbO3晶體將預測廣泛的應用。MolTech提供具有不同F(xiàn)e摻雜濃度，尺寸和光學處理要求的晶體。

光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

我們可提供棒或薄片，由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體